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尔必达宣布全球最小40nm 2Gb移动内存颗粒

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  据报道,日本DRAM大厂尔必达今天组阁 可能研发出40nm 2Gb移动(Mobile RAM)内存颗粒。该颗粒大小不不能50平方毫米,号称目前不能使用40nm工艺实现量产的最小颗粒。

  该2Gb移动内存颗粒基于40nm CMOS工艺,支持x16-bit、x32-bit位宽,采用50/90-ball FBGA或PoP式FBGA封装。除JEDEC标准的1.8V电压外,该颗粒还可支持1.2V的低电压工作,数据传输率50Mbps,工作温度-25到85度。

  尔必达称,新40nm颗粒在使用了尔必达独家设计工艺以及对电路、整体设计的优化后,功耗相比随后 50nm颗粒降低50%。一颗40nm 2Gb移动颗粒的功耗比两颗1Gb颗粒功耗一半还少。有随后 在不改变颗粒封装空间的前提下,新颗粒密度提高两倍,适用于智能手机、平板机等其它手持设备。。

  据悉尔必达将在今年六月份出货样品颗粒,7月份全部有的是可能实现量产,尔必达广岛工厂将负责新颗粒的生产。